Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / О. А. Агеев [и др.]> // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 5. - С. 1011-1018 : 12 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): As -- GaAs -- кристаллография в целом -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- поверхность GaAs -- эпитаксия Аннотация: Проведен термодинамический анализ и определены теоретические закономерности процессов межфазного взаимодействия в системе Ga-As-O с учетом нелинейных теплофизических свойств соединений, состава оксидных пленок и режимов молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs. Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Балакирев, С. В.; Солодовник, М. С.; Еременко, М. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |