Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 5. - С. 937-940 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
AlN -- SiC/Si -- выращенные пленки -- пироэлектрический отклик -- пленки AlN -- подложка SiC/Si -- пьезоэлектрический отклик -- тонкие пленки -- эпитаксиальное выращивание
Аннотация: Представлены результаты пироэлектрических и пьезоэлектрических исследований пленок AlN, сформированных методами хлорид-гидридной эпитаксии и молекулярно-лучевой эпитаксии на выращенных методом замещения атомов эпитаксиальных нанослоях SiC на Si.


Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Сергеева, О. Н.; Киселев, Д. А.; Богомолов, А. А.; Солнышкин, А. В.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Пронин, И. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)