Антипов, В. В. Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 3. - С. 612-615 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (15 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кадмий -- кремний -- кристаллография в целом -- пленки сульфида кадмия -- рост пленок -- сульфид кадмия -- эпитаксиальный рост Аннотация: Впервые выращен эпитаксиальный слой сульфида кадмия толщиной 300 nm на кремнии. Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |