Структура вакантных электронных состояний поверхности окисленного германия при осаждении пленок перилен-тетракарбонового диангидрида [Текст] / А. С. Комолов [и др.]> // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 2. - С. 367-371 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (35 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вакантные состояния -- германий -- диангидриды -- кристаллография в целом -- окисленный германий -- осаждение пленок -- перилен-тетракарбоновый диангидрид -- структура поверхностей -- электронные состояния Аннотация: Приведены результаты исследования пограничного потенциального барьера и вакантных электронных состояний в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровня Ферми при осаждении на поверхность окисленного германия пленок перилен-тетракарбонового диангидрида. Доп.точки доступа: Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Герасимова, Н. Б.; Панина, Ю. А.; Барамыгин, А. В.; Зашихин, Г. Д.; Пшеничнюк, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |