Amirabbasi, M. The role of AlGaN buffers and channel thickness in the electronic transport properties of Al[x]In[1-x]N/AlN/GaN heterostructures [Text] / M. Amirabbasi // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 149, вып. 1. - С. 181-186. - Библиогр.: с. 186 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- транспортные свойства Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |