Оптимальная и неоптимальная релаксация напряжений несоответствия в полупроводниковой гетеросистеме [Текст] / Е. М. Труханов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 4. - С. 472-475. - Библиогр.: c. 475 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дальнодействующие напряжения -- дислокации несоответствия -- полупроводниковые гетеросистемы -- релаксационные процессы -- эпитаксильные пленки Аннотация: Процессы релаксации напряжений несоответствия полупроводниковой гетеросистемы расклассифицированы на оптимальные и неоптимальные. В зависимости от типа процесса и степени его завершенности установлены и экспериментально зарегистрированы четыре варианта однородного поля напряжений в приповерхностном слое эпитаксиальной пленки. Рассмотрено взаимодействие пронизывающих дислокаций, способствующее переходу неоптимального релаксационного процесса в оптимальный. Доп.точки доступа: Труханов, Е. М.; Василенко, А. П.; Лошкарев, И. Д.; Колесников, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |