Зависимость профиля голограммы на центрах окраски в кристалле CaF[2] от типа формирующих голограмму центров [Текст] / А. С. Щеулин [и др.]> // Оптика и спектроскопия. - 2012. - Т. 113, № 6. - С. 712-717 : граф. - Библиогр.: с. 716-717 (15 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): голограммы -- квазиколлоидные центры -- кристаллы -- некогерентные излучения -- профили голограмм -- формирующие центры -- центры окраски Аннотация: Голограмма, записанная в кристалле CaF[2] и обусловленная модуляцией концентрации "простых" (F, M, R, и N) и высокоагрегированных (преимущественно коллоидных) центров окраски, была подвергнута экспозиции порядка 4000 Дж/см[2] некогерентным излучением с длиной волны 365 нм при температуре 80 градусов, результатом чего явилась практически полная трансформация центров окраски в квазиколлоидные центры. Доп.точки доступа: Щеулин, А. С.; Ангервакс, А. Е.; Вениаминов, А. В.; Захаров, В. В.; Рыскин, А. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |