Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией [Текст] / А. П. Горшков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2013. - Т. 77, № 1. - С. 61-63. - Библиогр.: с. 63 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений -- гетеронаноструктуры InAs/GaAs -- квантовые точки -- температурная зависимость -- фотоэлектрические спектры Аннотация: Показано, что исследование формы фотоэлектрического спектра от квантовых точек InAs/GaAs и его температурной зависимости позволяет выявлять образование бимодальных массивов квантовых точек. Доп.точки доступа: Горшков, А. П.; Волкова, Н. С.; Карпович, И. А.; Здоровейщев, А. В.; Полова, И. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |