Лаврентьева, Л. Г. Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. Г. Лаврентьева [и др. ]> // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72. - Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. )
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): дефекты в слоях GaAs и InGaAs -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- морфология ростовой поверхности -- отжиг (физика) -- электронная микроскопия Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге. Доп.точки доступа: Вилисова, М.Д.; Бобровникова, И.А.; Ивонин, И.В.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |