Гаман, В. И. Влияние адсорбции кислорода на поверхностный потенциал металлооксидного полупроводника [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 75-81. - Библиогр.: c. 81 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция кислорода -- адсорбция окислительных газов -- металлооксидные полупроводники -- поверхностная плотность ионов кислорода -- поверхностный потенциал -- теплота адсорбции -- хемосорбция Аннотация: Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости поверхностной плотности адсорбированных ионов кислорода и изгиба энергетических зон в приповерхностной области металлооксидного полупроводника от концентрации кислорода, которые учитывают не только процесс адсорбции нейтральных частиц газа, но и их перезарядку за счет захвата электрона из зоны проводимости. Показано, что теплота адсорбции ионов кислорода равна сумме теплоты адсорбции нейтральной частицы и энергетического зазора между уровнем Ферми и уровнем иона кислорода на поверхности полупроводника. В период установления адсорбционного равновесия аналитическое выражение, описывающее зависимость изгиба энергетических зон от времени, может быть получено только для случая малых изменений концентрации кислорода в газовой смеси. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |