Брудный, В. Н. Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастотных расчетов в рамках GW-приближения [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 6. - С. 1183-1189 : табл. - Библиогр.: с. 1188-1189 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- GW-приближение -- электронная структура -- уровень локальной электронейтральности -- политипы SiC -- SiC -- квазичастотные расчеты Аннотация: С использованием GW-приближения для собственной энергии квазичастиц рассчитаны важнейшие межзонные переходы и положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) для политипов карбида кремния 3C-SiC и nH-SiC (n=2-8). Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |