Исследование состава приповерхностных слоев полупроводников с помощью фотометрии [Текст] / Т. А. Брянцева [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 4. - С. 41-44. - Библиогр.: с. 44 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): приповерхностные слои полупроводников -- полупроводниковые пленки -- эпитаксиальные пленки -- фотометрия -- селективное травление -- кристаллические решетки -- тонкий химический анализ -- галлий -- алюминий -- мышьяк Аннотация: Разработаны методики определения микроколичеств свободных галлия, алюминия и мышьяка, не связанных с кристаллической решеткой базисного материала, на поверхности эпитаксиальных пленок. Доп.точки доступа: Брянцева, Т. А.; Бобылев, М. А.; Лебедева, З. М.; Любченко, Д. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |