Фемтосекундная когерентная спектроскопия четырехволнового смешения и фотонного эха в гетероструктуре GaAs/AlGaAs при комнатной температуре [Текст] / К. В. Иванин [и др.]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 333-337. - Библиогр.: c. 337 (22 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): гетероструктура GaAs/AlGaAs -- двумерный вырожденный электронный газ -- наведенные спиновые решетки -- спинтроника -- фемтосекундная когерентная спектроскопия -- фотонное эхо -- электронный газ -- электрон-электронное взаимодействие -- эхо-спектроскопия Аннотация: Представлены результаты экспериментов по когерентной фемтосекундной спектроскопии в слое двумерного электронного газа на границе гетероперехода GaAs/AlGaAs при комнатной температуре. Получены кривые спада первичного фемтосекундного фотонного эха. Время спада когерентности в двумерном электронном газе сильно зависит от мощности возбуждающего импульса и варьируется от 36 до 54 фс. Впервые исследована зависимость времени дефазировки от мощности возбуждающих импульсов при комнатной температуре. Установлено, что эта зависимость удовлетворяет закону T[2] ~ N{-0. 22}, который отличается от закона T[2] ~ N{-1}, характерного для неэкранированного электрон-электронного взаимодействия в кристаллах полупроводников. Анализ показал, что наряду с электрон-электронным взаимодействием велика роль и электрон-фононного взаимодействия. Исследованы наведенные спиновые “решетки” в гетероструктуре GaAs/AlGaAs с целью возможного их использования в спинтронике. Доп.точки доступа: Иванин, К. В.; Леонтьев, А. В.; Лобков, В. С.; Сафиуллин, Г. М.; Самарцев, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |