Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и C-V-профилирования [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 250-254. - Библиогр.: с. 254 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): C-V-профилирование -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- гетероструктуры AlGaN/GaN -- двумерные электронные каналы -- дельта-легированные гетероструктуры -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- элементный состав Аннотация: Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур. Проведено исследование элементного состава и концентрации электронов в серии дельта-легированных гетероструктур Al[X]Ga[1-X]N/GaN с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si. с двумерным электронным каналом. Сочетанием методов ВИМС и C-V-профилирования показано разделение электронного канала и легирующей примеси Si. Доп.точки доступа: Дроздов, М. Н.; Востоков, Н. В.; Данильцев, В. М.; Демидов, Е. В.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Шашкин, В. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |