Эмиссия терагерцевого излучения из селективно легированных гетероструктур AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов электрическим полем [Текст] / В. А. Шалыгин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 236-239. - Библиогр.: c. 239 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры AlGaN/GaN -- двумерные электроны -- латеральное электрическое поле -- легированные гетероструктуры -- модель теплового излучения горячих двумерных электронов -- теоретические модели -- терагерцевое излучение Аннотация: Исследована эмиссия терагерцевого излучения из гетероструктуры AlGaN/GaN при разогреве двумерных электронов в латеральном электрическом поле. Полевая зависимость температуры горячих электронов определена на основании анализа экспериментальных вольт-амперных характеристик. Рассмотрена теоретическая модель теплового излучения горячих двумерных электронов и проведено сопоставление результатов расчета с экспериментом по эмиссии терагерцевого излучения. Доп.точки доступа: Шалыгин, В. А.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Софронов, А. Н.; Мелентьев, Г. А.; Винниченко, М. Я.; Лундин, В. В.; Николаев, А. Е.; Сахаров, А. В.; Цацульников, А. Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |