Влияние химического строения (со) полимеров-резистов на их чувствительность к радиационному излучению [Текст] / С. А. Булгакова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 186-189. - Библиогр.: c. 189 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): кислотный гидролиз функциональных групп -- литографические свойства -- метилметакрилат -- полимеры -- полиметилметакрилат -- радиационное излучение -- резисты -- химические модификации -- электронно-лучевая литография -- ЭУФ-литография Аннотация: Исследованы резисты, функционирующие по двум механизмам - разрыв основной цепи и гидролиз боковых функциональных групп - при ЭУФ- и электронно-лучевом экспонировании в зависимости от химического строения полимерной основы. Показано, что последние, относящиеся к химически усиленным резистам, обладают на порядок более высокой чувствительностью к излучению в сочетании с рекордным контрастом по сравнению с резистами деструктивного типа. Доп.точки доступа: Булгакова, С. А.; Джонс, М. М.; Киселева, Е. А.; Скороходов, Е. В.; Пестов, А. Е.; Лопатин, А. Я.; Гусев, С. А.; Лучин, В. И.; Чхало, Н. И.; Салащенко, Н. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |