Шилов, М. В. Релаксация фотоэлектрического и фотовольтаического откликов тонкопленочного сегнетоэлектрика Pb (Zr[0. 25], Ti[0. 75]O[3] [Текст] / М. В. Шилов, А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - № 10. - С. 1488-1490. . - Библиогр.: c. 1490 (12 назв. )
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): лазерное излучение -- релаксация фотоотклика -- самополяризованные пленочные структуры -- тонкопленочные сегнетоэлектрики -- фотовольтаический отклик -- фотоэлектрический отклик Аннотация: Исследована релаксация фотоотклика в самополяризованных пленочных структурах Pb (Zr0. 25, Ti0. 75) O3 с полупрозрачным верхним NiCr-электродом, при освещении фокусированным лазерным излучением с длиной волны 0. 63 мкм и мощностью порядка 40 мВт. В ходе экспериментов получены зависимости времен релаксации фотооткликов от поля, направленного как по вектору самополяризации, так и противоположно ему. Выявлено качественное различие этих зависимостей и сделано предположение о возникновении в исследуемой структуре экранирующего заряда, обусловленного захватом фотоиндуцированных носителей заряда глубокими ловушками в приконтактной области. Доп.точки доступа: Богомолов, А. А.; Солнышкин, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |