Назарчук, Ю. Н. Исследование влияния размера локальной металлизации поверхности n-GaAs на картину распределения поверхностного потенциала, полученную методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 32-35. . - Библиогр.: c. 35 (10 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- атомно-силовой микроскоп -- зонд Кельвина -- Кельвина зонд -- металлизация поверхностей -- метод атомно-силовой микроскопии -- метод зонда Кельвина -- поверхностный потенциал Аннотация: С использованием атомно-силового микроскопа (АСМ) в варианте метода зонда Кельвина (МЗК) проведены исследования потенциала поверхности арсенида галлия GaAs с локально нанесенными на нее тонкими слоями золота. Полученные результаты показывают, что измеряемый потенциал в системе зонд - металл в целом соответствует ее контактной разности потенциалов (КРП). Доп.точки доступа: Новиков, В. А.; Торхов, Н. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |