Эпитаксиальные пленки GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешетки GaSb/InAs на подложках фианита [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1291-1296. . - Библиогр.: c. 1296 (9 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): диоксид гафния -- диоксид циркония -- монокристаллы -- сверхрешетки GaSb/InAs -- фианит -- электроника Аннотация: Фианит - монокристалл кубических твердых растворов на основе диоксида циркония (ZrO[2]) или гафния (HfO[2]) со стабилизирующими окислами иттрия, скандия и лантанидов - обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в электронике. В статье рассматриваются новые применения фианита в качестве монолитной подложки для получения эпитаксиальных пленок Ge, GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешеток GaSb/InAs. Доп.точки доступа: Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Шенгуров, В. Г.; Денисов, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |