Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs [Текст] / А. И. Дмитриев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 1. - С. 158-169. . - Библиогр.: с. 168-169
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесцентный отклик -- квантовая яма -- изменение магнитного поля -- магнитное поле -- дельта-слой Mn -- марганец -- гетероструктуры -- InGaAs/GaAs Аннотация: Исследован фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. И.; Таланцев, А. Д.; Зайцев, С. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Коплак, О. В.; Моргунов, Р. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |