Фазовые сверхструктурные переходы на начальной стадии эпитаксильного роста Ge на Si (111) [Текст] / С. А. Тийс [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 8. - С. 1116-1119. . - Библиогр.: c. 1119 (7 назв. )
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): напряжения несоответствия -- пластическая релаксация -- сверхструктурные переходы -- сканирующая туннельная микроскопия -- фазовые переходы -- эпитаксильный рост Аннотация: С помощью сканирующей туннельной микроскопии на поверхности островков Ge на Si (111) экспериментально обнаружены поверхностные фазовые переходы 7 х 7 - 5 х 5 у двумерных, а также с2 х 8 - 7 х 7 и 7 х 7 - с2 х 8 у трехмерных островков. Первые два перехода обусловлены увеличением уровня напряжений несоответствия, а последний - их уменьшением при пластической релаксации. Доп.точки доступа: Тийс, С. А.; Труханов, Е. М.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |