Рентгенодифракционный анализ искажений эпитаксильной пленки на отклоненных подложках (001) [Текст] / А. В. Колесников [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 652-655. . - Библиогр.: c. 655 (8 назв. )
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- кривые дифракционного отражения -- кристаллическая решетка -- модель Нагаи -- Нагаи модель -- пластическая релаксация -- рентгеновская дифрактометрия -- триклинные искажения -- эпитаксильные пленки Аннотация: Развита методика определения структурных параметров эпитаксиальных слоев по данным рентгеновской дифрактометрии, позволяющая анализировать триклинные искажения, которые возникают в гетеросистемах с несингулярными ориентациями. Зарегистрированы углы взаимного разворота кристаллических решеток дислокационной пленки Ge[x]Si[1-x] и подложки Si. Доп.точки доступа: Колесников, А. В.; Ильин, А. С.; Труханов, Е. М.; Василенко, А. П.; Лошкарев, И. Д.; Дерябин, А. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |