Айзенштат, Г. И. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AIGaAs/InGaAs [Текст] / Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 34-39. . - Библиогр.: c. 39 (10 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- гетероструктуры -- двумерный электронный газ -- дрейфовая скорость электронов -- квантовая яма Аннотация: В диапазоне температур 200-400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AIGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1, 55 10{7} до 1, 3 10{7} см/с и существенно превышает значения этой скорости в объемном арсениде галлия. Доп.точки доступа: Божков, В. Г.; Ющенко, А. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |