Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде [Текст] / А. В. Дунаев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 6. - С. 42-46.
Рубрики: Машиностроение Обработка металлов Кл.слова (ненормированные): плазмохимическое травление -- ХЛОР -- хлороводород -- арсенид галлия Аннотация: Весовым методом изучена кинетика плазмохимического травления GaAs в плазме Cl2 и HCl. Установлено, что в начальный период травления процесс носит нестационарный характер, при этом длительность переходной стадии в плазме HCl существенно короче. Скорость травления в плазме Cl2 в 3-4 раза выше, чем в плазме HCl. Обработка в плазме HCl обеспечивает более высокую равномерность травления и качество поверхности GaAs. Доп.точки доступа: Дунаев, А. В.; Пивоваренок, С. А.; Семенова, О. А.; Капинос, С. П.; Ефремов, А. М.; Светцов, В. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |