Блохин, А. М. (Институт математики им. Соболева СО РАН). К вопросу о вычислении электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора с наноканалом из оксида кремния [Текст] / А. М. Блохин, А. С. Ибрагимова // Математическое моделирование. - 2010. - Т. 22, N 9. - С. 79-94. : 1 табл., 6 рис. - Библиогр.: с. 94 (12 назв. )
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): 2D кремниевый транзистор -- гидродинамическая модель -- кремниевый транзистор -- наноканалы -- оксид кремния -- параболическая регуляризация -- уравнение Пуассона -- электрический потенциал Аннотация: В статье рассматривается проблема нахождения электрического потенциала для 2D кремниевого транзистора. Доп.точки доступа: Ибрагимов, А. С. (Новосибирский государственный университет) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |