Караваев, Г. Ф. Изучение спектра сверхрешеток GaAs/AIAs (001) в рамках моделей с резкой и "плавной" границами [Текст] / Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 45-54. . - Библиогр.: c. 53-54 (19 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- псевдопотенциал -- сверхрешетки -- спектр сверхрешеток -- электронные спектры Аннотация: В рамках упрощенных моделей резкой и "плавной" гетерограниц рассмотрены связанные с г- и Хz-долинами зоны проводимости объемных кристаллов GaAs и AIAs электронные состояния и минизонные спектры сверхрешеток (GaAs) [m] (AIAs) [n] (001). Модели построены на основе расчетов методом псевдопотенциала. Показано, что предложенные модели хорошо описывают результаты соответствующих точных расчетов в приближениях резкой и плавной границ. Отмечено, что отличие модели <плавной> границы от модели резкой границы становится существенным в случае сверхрешеток с тонкими слоями, где оно приводит к качественно различной дисперсии нижних минизон. Доп.точки доступа: Гриняев, С. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |