Струтура и свойства пленок LiNbO[3], полученных методом высокочастотного магнетронного распыления [Текст] / В. М. Иевлев [и др. ] // Перспективные материалы. - 2010. - N 3. - С. 26-33. : Рис. 7, табл. 1. - Библиогр.: с. 31-32 (29 назв. )
Рубрики: Физика Электростатика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- структурный анализ -- тонкие пленки LiNbO[3] -- электрические свойства -- высокочастотный магнетронный распылитель -- спектры комбинационного рассеяния -- комбинационное рассеяние света Аннотация: Методом высокочастотного магнетронного распыления (ВЧМР) синтезированы нанокристаллические пленки LiNbO[3] на подложках (001) Si, (111) Si, Si - SiO[2], Ag/фторфлогопит. Исследованы элементный и фазовый состав, структура, морфология поверхности, спектры комбинационного рассеяния пленок LiNbO[3], а также электрофизические параметры гетероструктур (001) Si - LiNbO[3] и (001) Si - SO[2] - LiNbO[3]. Доп.точки доступа: Иевлев, Валентин Михайлович (доктор физико-математических наук; профессор; академик РАН; заведующий кафедрой); Костюченко, Александр Викторович (младший научный сотрудник); Белоногов, Евгений Константинович (кандидат физико-математических наук; доцент); Сумец, Максим Петрович (кандидат физико-математических наук; доцент); Вахтель, Виктор Матвеевич (кандидат физико-математических наук; доцент); Сидоров, Николай Васильевич (доктор химических науке; ведущий научный сотрудник); Палатников, Михаил Николаевич (доктор химических наук; ведущий научный сотрудник) Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |