Арапкина, Л. В. Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. В. Арапкина, В. А. Юрьев> // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 3. - С. 289-302 : 11 рис. - Библиогр.: с. 302 (54 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): hut-кластеры -- сканирующая туннельная микроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые точки -- кластеры Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) in situ выполнено морфологическое исследование и проведена классификация hut-кластеров Ge, образующих массивы квантовых точек на поверхности Si (001) при низких температурах в процессе сверхвакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии. Доп.точки доступа: Юрьев, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |