Falkovsky, L. A. Gate-tunable bandgap in bilayer graphene [Text] / L. A. Falkovsky // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 137, вып. 2. - С. 361-367. - Библиогр.: с. 366-367 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Теоретическая физика Физика Кл.слова (ненормированные): проводимость -- валентность -- графены -- модель сильной связи -- сильная связь -- двухслойные графены Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |