Распределение германия в слоях Si[1-x]Ge[x] (x0. 1), выращенных на подложке Si (001), в зависимости от их толщины [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 6. - С. 1154-1169. - Библиогр.: с. 1168-1169 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Теоретическая физика Физика Кл.слова (ненормированные): толщина слоев -- пленки -- кремний -- гелий -- германий -- подложки -- эпитаксиальные слои -- слои -- выращивание -- распределение германия Аннотация: Исследовано распределение германия в слоях Si[1-x]Ge[x] (x<0. 1), выращенных на подложке Si (001), в зависимости от их толщины. Доп.точки доступа: Новиков, А. В.; Багаев, В. С.; Кривобок, В. С.; Мартовицкий, В. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |