Эпитаксильный рост тонких пленок молекул фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) [Текст] / А. И. Орешкин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 937-939. : Рис. - Библиогр.: c. 939 (3 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): двойные ступеньки -- доменные границы -- низкоэнергетическая электронная микроскопия -- поверхности -- сканирующая туннельная микроскопия -- тонкие пленки -- туннельная спектроскопия -- фуллерены -- эпитаксильные пленки Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, а также низкоэнергетической электронной микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума исследована морфология и атомная структура пленок фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) -7x7 при разных степенях покрытия. Доп.точки доступа: Орешкин, А. И.; Бахтизин, Р. З.; Sadowski, J. T.; Sakurai, T. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |