Двойникование - вероятный механизм релаксации напряжений при образовании тугоплавких кристаллических оксидов: кристаллокерамик и монокристаллов [Текст] / М. Ш. Акчурин [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 427, N 6, август. - С. 765-767. . - Библиогр.: с. 767
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные кристаллокерамики -- кубические оксиды -- иттрийалюминиевый гранат -- тугоплавкие оксиды -- кристаллические оксиды -- кристаллокерамики -- монокристаллы -- выращивание кристаллов -- двойникование -- релаксация напряжений Аннотация: Новый взгляд на строение кристалла Y[3]Al[5]O[21] позволил продемонстрировать возможность двойникования в плоскости, при котором центр симметрии меняется на антицентр, что сложно зафиксировать рентгеноструктурными методами. Доп.точки доступа: Акчурин, М. Ш.; Закалюкин, Р. М.; Каминский, А. А.; Купенко, И. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1) Свободны: з.п. (1) |