Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом [Текст] / М. А. Панков [и др. ]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 346-355. . - Библиогр.: с. 354-355
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): двумерный дырочный газ -- дырочный газ -- газы -- марганец -- структуры -- свойства -- квантовая яма -- ферромагнитный переход -- транспортные свойства структур Аннотация: Исследованы транспортные свойства структур GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу метал-изолятор, наблюдаемому в объемном GaAsMn. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Субботин, И. А.; Чуев, М. А.; Пашаев, Э. М.; Фарзетдинова, Р. М.; Рыльков, В. В.; Аронзон, Б. А.; Лайхо, Р.; Мейлихов, Е. З.; Давыдов, А. Б.; Лихачев, И. А.; Лашкул, А. В.; Панков, М. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |