Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs (001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге [Текст] / А. В. Васев [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 5-13. . - Библиогр.: с. 13 (34 назв. )
Рубрики: Физика Химия Физическая химия поверхностных явлений Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- вакуумный отжиг -- выглаживание поверхностей GaAs (001) -- дифракция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфологические изменения поверхностей -- физика конденсированного состояния -- эпитаксия Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучены особенности морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs (001) в процессе роста молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и вакуумного отжига. Выявлена связь сверхструктурного состояния поверхности с характером этих изменений. Установлены термодинамические условия эпитаксиального роста GaAs (001) с наиболее структурно-совершенной поверхностью. Определены характеристики процессов, вызывающих развитие рельефа при росте МЛЭ в условиях существования реконструкции (2х4). Предложена и апробирована новая методика, позволяющая значительно повысить эффективность процедуры выглаживания поверхности GaAs (001) отжигом в потоке мышьяка. Доп.точки доступа: Васев, А. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Селезнев, В. А.; Преображенский, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |