Брудный, В. Н. Уровень зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в нитридах A{3}N (BN, AIN, GaN, InN) [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 12. - С. 24-31. . - Библиогр.: c. 31 (37 назв. )
Рубрики: Физика Электрический ток Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): нитриды -- радиационные дефекты -- химпотенциал -- энергетический спектр Аннотация: На основе теории функционала плотности (DFT-GGA) рассчитаны энергетические спектры и положение уровня зарядовой нейтральности (CNL) в соединениях BN, A1N, GaN и InN кубической и гексагональной модификаций. Показано, что с ростом атомного веса катиона в соединении имеет место смещение уровня CNL из положения вблизи середины запрещенной зоны (33) в BN и A1N в верхнюю половину 33 в GaN и в область разрешенных энергий зоны проводимости в InN, что определяет полуизолирующие свойства BN и AIN, п-тип проводимости GaN и п{+}-тип проводимости InN при насыщении данных материалов собственными дефектами решетки за счет жесткого радиационного воздействия. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |